(原北京有色金属研究总院,简称中国有研)成立于1952年,是中国有色金属行业综合实力雄厚的研究开发和高新技术产业培育机构,是国资委直管的中央企业。总资产超过110亿元,拥有包括4名两院院士在内的职工4,100余人。总部位于北京市北三环中路,在北京市昌平区-顺义区-怀柔区、河北燕郊-廊坊-雄安、山东德州-青岛-威海-乐陵、安徽合肥、福建厦门、上海、四川乐山、重庆...

1978年我国恢复研究生招生制度,我院即成立了研究生工作小组,开始招收硕士研究生。1981年开始招收博士研究生。1985年成立北京有色金属研究总院研究生部。

现有两个一级博士、硕士学位授权学科:材料科学与工程、冶金工程,另有分析化学、矿物加工工程两个硕士学位授权点,具有材料科学与工程、冶金工程两个博士后科研流动站,并与多家企业联合建立博士后工作站。

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屠海令

 

导师姓名

屠海令

性别

出生年月

1946年10月

所在室所

智能传感功能材料国家重点实验室
半导体材料国家工程研究中心

技术职称

教授级高级工程师

招生专业

材料科学与工程

联系电话

010-82241880

E-mail

tuhl@grinm.com

研究方向

1. 硅及化合物半导体材料

2. 纳米半导体材料

3. 新型传感功能材料与器件

 

 

个人简况

 

1969年毕业于天津大学;1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位;1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。2007年当选为中国工程院院士。现任北京有色金属研究总院名誉院长。

中国科学技术协会常务委员会委员,中国材料研究学会副理事长,中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长。

长期从事硅、化合物半导体晶体生长,稀土半导体、硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系,纳米半导体材料、高k材料和红外光学材料等方面研究。研究课题包括半导体单晶生长中的传质、传热过程,硅外延生长动力学,半导体材料中的缺陷与杂质,半导体材料表面物理化学,三元系化合物半导体晶格动力学,稀土半导体材料结构相变,锗硅半导体材料的制备技术,纳米半导体材料制备及性能评价,高k栅介质材料缺陷及界面稳定性研究,红外光学材料制备及性能研究,半导体材料检测技术等。

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