郑安生

导师姓名

郑安生

性别

男

出生年月

1962年5月

所在室所

稀土材料国家工程研究中心

技术职称

教授级高级工程师

招生专业

材料科学与工程

联系电话

13370118522

E-mail

zhas@grieom.com

研究方向

1. 半导体材料研究

2. 红外光学材料研究

个人简况

教授级高工，享受政府特殊津贴专家。1983年毕业于兰州大学金属物理专业，1988年毕业于兰州大学材料学系固体物理专业，获硕士学位，同年进入北京有色金属研究总院工作。曾任国家半导体材料工程研究中心副主任，有研光电新材料有限责任公司总经理。

郑安生长期从事化合物半导体材料的研究开发工作，是我国半导体材料专家，国家科学技术部技术审查专家。先后承担国家863计划、科技支撑计划、国家高技术产业化示范工程项目10多项。在国内首家研制出Φ2”和Φ3” HB-GaAs晶片，并形成了大规模生产，成为世界最大的HB-GaAs晶片供应商。在国内首家研制出N型掺Te GaSb晶片和P型掺Zn GaSb晶片，为我国2-4um波段激光器和探测器的研发做出巨大贡献。在国内首家研制出Φ2”、Φ2.5” GaP和InAs晶片，GaP晶片形成了大规模生产，成为世界第三大供应商。先后获部级科研成果5项，授权专利8项，在国内外核心期刊上发表论文约40篇，专著和译著各1部。获部级科技进步一等奖1项，二等奖1项，三等奖3项。